Hynix produce una NAND flash memory da 15nm

Le due società impegnate nello sviluppo del NAND flash chip sono al momento Intel e Micron. Il loro progetto ha visto il passaggio alla produzione di chip di memoria da 20nm in Aprile, mentre all’inizio di questa setimana hanno annunciato la produzione di massa di chip da 64 GB e il campionamento di chip da 16 GB pronto per il lancio nel 2012. 20nm sembra essere la nuova avanguardia nella produzione di memoria, ma Intel e Micron potrebbero essere sorprese di trovare nel vedere che Hynix li ha superati. Il produttore coreano ha utilizzato lo standard IEEE International Electron Devices Meeting per annunciare che stanno producendo un Middle-1Xnm-generation NAND Flash. Sembra essere un nome di fantasia dato al chip prodotto sulla scala di 15 nm.

Hynix ha dovuto superare una serie di ostacoli. I due maggiori problemi sono stati buchi che appaiono nelle porte di controllo alla base del silicio policristallino. I fori alle porte di controllo sono dovuti alla piccola quantità di spazio disponibile per l’uso su un chip di queste dimensioni. Hynix ha lavorato sul problema aumentando lo spazio a disposizione. Bisogna risolvere le perdite di cariche elettriche. Hynix ha migliorato il processo di produzione. L’azienda intende avviare la produzione di memoria flash da mezzo 1Xnm nella seconda metà del 2012. Ce la faranno Intel e Micron?

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